Pamięć wbudowana jest kluczowym czynnikiem przy przesyłaniu danych pomiędzy naszym urządzeniem, a komputerem. Jednak nie tylko wtedy, bo również przy instalacji aplikacji istotna jest prędkość zapisu. Jak donoszą koreański serwis ETNews, Samsung oraz Xiaomi zamierzają wprowadzić w przyszłym roku niemałą rewolucję w tej dziedzinie.
Podobno nowe flagowce od Samsunga i Xiaomi mają posiadać nową wersję pamięci flash. Dotychczas smartfony Koreańczyków wykorzystywały technologię eMMC NAND, która średnio osiągała szybkość przesyłu na poziomie 400 MB/s. Co ciekawsze, największy producent smartfonów na świecie opracował coś lepszego – Universal Flash Storage, w skrócie UFS. Dzięki temu przyszłoroczne high-endy staną się o wiele szybsze – nowa kość pamięci pozwoli na uzyskanie niesamowitych prędkości na poziomie 1,2 GB/s. Ale po co właściwie producenci chcą zastosować nowy typ flash?
UFS 2.0 NAND pozwoli na przesyłanie filmów w rozdzielczości 4K (i większej), przy wykorzystaniu sieci LTE-A, która przechodzi w Polsce dopiero pierwsze testy. W dodatku będzie o połowę bardziej energooszczędna w porównaniu do poprzednika – eMMC NAND 5.0. Moim zdaniem może to poprawić czas pracy na jednym ładowaniu i pozwolić na szybszą instalację aplikacji sporych rozmiarów, przykładowo gier. Zresztą, nawet nowe karty microSD mają bazować o tą nową technologię.
Warto tutaj wspomnieć o tym, że pracownik Samsunga powiedział ETNews o testowanym właśnie przyszłorocznym smartfonie z nową pamięcią flash. Najprawdopodobniej jest to Samsung Galaxy S6. Przejdźmy teraz do Xiaomi. Ten chiński gigant chcąc być jednym z pionierów rynku, zamierza w 2015 roku wdrożyć do swoich modeli UFS na dobre. Zresztą tylko kwestią czasu jest, aby wszyscy producenci przejdą na nowy standard. Kto by chciał pozostać w tyle za konkurencją?
Osobiście uważam, że stosowanie pamięci o większej przepustowości ma sens. Dzięki temu cały proces instalacji i deinstalacji będzie trwał krócej. W dodatku UFS 2.0 NAND pozwoli na bezproblemowe strumieniowanie filmów o wysokiej rozdzielczości. Moim zdaniem nowa technologia szybko stanie się obowiązującym standardem na rynku pośród modeli z wyższej i średniej półki.
źródło: ETNews przez Phone Arena
eMMC NAND
eMMC NAND 5.0
Nowa pamięć flash
Samsung
Samsung Galaxy S6
Szybsza pamięć flash
UFS 2.0 NAND
Universal Flash Storage
xiaomi
5 replies on “Przyszłoroczne flagowce od Samsunga i Xiaomi z szybszą pamięcią?”
hej, mam prośbę o pomoc. Jaki smartfon byście wybrali pomiędzy galaxy s5 mini vs iphone 4s? Mam straszny mętlik w głowie. Będe wdzięczny o krótkie tak na jedną z propozycji.
Jak dla mnie S5 mini. Za system i funkcje jakie posiada i które ułatwiają i umilają pracę.
S5
Mam nadzieje że żywotność tych komórek pamięci będzie wyższa
hej, będzie galaxy s5 mini. Dziękuje za pomoc.